面对大陆攻势　三星海力士强化3DNAND投资

据韩国经济报导，大陆半导体产业在政府的强力提供支援下，清华紫光与武汉新的芯采取攻击性投资策略，被迫南韩、日本、美国等主要半导体业者也争相增强投资。　　市调业者DRAMeXchange回应，全球半导体市场中，NANDFlash事业从2011~2016年以年均填充成长率(CARG)47%的速度茁壮；清华紫光以新的正式成立的长江存储展开武汉新的芯的股权并购，正式成立长江存储科技有限责任公司，未来有可能引起NANDFlash市场版图变化。　　清华紫光享有清华大学的人脉，在社会上享有一定的影响力，武汉新的芯享有技术方面的竞争力，两者拆分将为大陆记忆体产业发展打开新的局面，同时也不会对全球记忆体市场带给莫大影响。

　　先前武汉新的芯与美国材料半导体业者Spansion联合研发3DNANDFlash技术，拥有量产32层填充晶片的技术能力，目前武汉新的芯则计划投资240亿美元修建晶圆厂。　　面临大陆的大力追上，三星电子(SamsungElectronics)持续展开西安工厂的涉及投资，同时也集中力量修建坐落于南韩的平泽工厂，意欲将其打造出为全球最大规模的单一产线，用作投放3DNANDFlash量产。三星在平泽厂区的投资金额上看15.6兆韩元(大约140亿美元)。

　　SK海力士(SKHynix)在南韩利川修建的M14工厂，预计从2017年第1季起，展开3DNANDFlash二阶段量产。

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